3D TLC NAND To Beat MLC as Top Flash Storage —and why this

樓主 / 三叔

3D TLC NAND To Beat MLC
as Top Flash Storage —and why this matters to you

www.samsung.com/us/del...-final.pdf

這篇文章是真的嘛

別老是糾結MLC和TLC了，TLC不比MLC差。正常講，同一尺寸的MLC搽寫次數是5000次，TLC是500次，所以大家都覺得MLC比TLC好太多太多，覺得TLC是垃圾，但是為了增加容量，都在提高工藝減少晶體管的尺寸，但這樣壽命就會大大降低，MLC在50NM的技術時可以搽寫1萬次以上，到了20NM就只有3000次了，現在的16NM工藝的MLC，壽命都在3000次以下，而3D NAND技術因為可以是多層疊加，所以就不用降低晶體管的尺寸，保持在40NM技術可以有6000次以上的壽命，另外，傳統SSD閃存使用浮柵極MOSFET存儲電荷，晶體管的瑕疵會引起柵極與溝道之間短路，消耗柵極中的電荷，也就是說每次寫入都會消耗柵極的壽命，一旦消耗完了這一個cell單元也就掛了，而之前三星的V-NAND的解決辦法是改用電荷擷取閃存設計，電荷存儲在絕緣層上而非導體上，理論上就不會消耗這些電荷了，這樣一來，壽命就大大延長了------目前的19/20nm工藝MLC閃存的擦寫次數普遍是3000次，三星的V-NAND閃存可達35000次、足足提升了十倍，而寫入速度可以提高兩倍，所以------別只看MLC和TLC，還要看技術結構，如果是采用了3D NAND的TLC（多層堆疊增加晶體管尺寸而增加壽命，改用新技術：絕緣層存儲電荷，理論上電荷不被消耗，晶體管就不會壞，所以壽命增加了10倍），性能不比MLC差，所以三星才說現在的3D NAND TLC，就是新的MLC，所以現在很多大廠都在把建設新的3D NAND ，至今年底為止，各家存儲器廠的3D NAND生產線將陸續進入量產，包括三星Fab16、SK海力士M14、美光F10x、東芝新建的Fab2、以及英特爾大連廠等。所以請大家別老是歧視TLC了，如果是3D NAND的TLC，性能還是很不錯，要不就不會有那麼多大公司都在加快建設3D NAND生產線，同時我也可以明確告訴大家，2017年開始，市場上將會有越來越多的3D NAND的TLC產品出現，因為3D NAND的性能，實在是比普通NAND的性能強太多了，這是做3D NAND控制芯片的廠家慧容說的。3D NAND的性能好到什麼程度？三星的850PRO就是用的3D NAND MLC，質保是10年，10年，CPU最少都要換6代了。三星的850EVO，用的是3D NAND的TLC，質保5年。再看看英特爾的600P，用的也是3D NAND的TLC，質保是5年。所以，真的別一看到TLC就覺得是垃圾了，以後3D NAND的TLC會是市場主流，而3D NAND的MLC是企業級產品。如果真是垃圾，會成為未來市場上的主流產品嗎？就連中國內地2017年底也會在武漢建成並生產3D NAND，因為性能不是一般的強！所以請別一見到TLC，就說是垃圾

贊

花籃

投訴

踩

第 2 樓 / 三叔

這個去哪買？

配啥筆記本？？

XG5是東芝OEM型號固態硬盤，使用M.2 2280規格，PCIE 3.0 X4接口與NVMe協議。主控是東芝自有TC58NCP090GSD，搭配東芝新一代64層堆疊3D TLC閃存。

根據之前媒體評測，東芝XG5的持續讀寫速度在3100/2100 MB/s以上。

贊

花籃

投訴

踩